旋转硅靶

旋转硅靶材为多晶或单晶，其中硅元素含量在99.9999%（6N）以上，相对密度应不小于99.5%（以理论密度2.33 g/cm 3 计算）；密度均匀性偏差应不大于±0.2%，电阻率范围为：0.005 Ω·cm～0.05 Ω·cm（可根据需方要求调配）

旋转硅靶材表面无裂纹，无崩边，颜色均匀一致；靶材内部无夹杂物、污染物，气孔直径不大于 0.1 mm。

外观尺寸质量为：圆度的公差为±0.1 mm，同轴度的公差为±0.1 mm，或根据需方要求及技术图样加工。

常规规格尺寸：直径为120-300mm，长度单根不大于1500mm,可根据用户需求订制加工。

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