硅锭

柱状多晶硅锭

柱状多晶硅锭坯体主要用于生产硅靶材、半导体硅部件、大尺寸

高温扩散炉管等产品，其技术特性是具有均匀、细小晶粒的多<111>晶体结构，质地紧密、刻蚀性能好、加工应力力小，抗弯强度高，能**限度满足复杂结构产品的加工工艺需求。该产品技术指标为: 纯度>99.9999% （6N，除去硼磷掺杂剂含量），导电类型P型或N型，电阻率1~2.6、0.05~0.01、0.015~0.005Ω·cm范围内可调控；无隐裂、无气孔、杂质等缺陷。公司已申请获得两项专利: 发明专利“一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法”ZL201610650014.7，实 用 新 型 专 利 “ 细 小 柱 状 多 晶 硅 靶 材 基 体 的 铸 锭 制 备 设备”ZL202220437256.9。产品打破国外技术垄断替代进口，在**多家核心半导体硅部件龙头企业应用多年，应用性能良好。

柱状多晶硅方锭常规尺寸为：840*840*390mm，1063*1063*380mm,1163*1163*380mm。

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